AON7426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
50
T A =25 ° C
T A =100 ° C
40
100
30
T A =150 ° C
20
10
T A =125 ° C
10
1
0
1
10 100
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
1000
0
25 50 75 100 125
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
150
(Note C)
60
10000
T A =25 ° C
50
1000
40
17
30
20
100
5
2
10
10
10
0
1
0
25
50
75 100 125
150
0.00001
0.001 0.1 10 1000
18
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
0.001
R θ JA =75 ° C/W
Single Pulse
40
29
P D
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev. 2.0: March 2013
www.aosmd.com
Page 5 of 6
相关PDF资料
AON7460 MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP
AOT1606L MOSFET N-CH 60V 178A TO220
AOT4N60 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
AOW480 MOSFET N-CH 80V 15A TO262
AP1608SF4C LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM
AP2012SF4C LED IR CLEAR GAALAS SMT
APA3010F3C-GX INFRARED EMITTING DIODE 940NM
APA3010F3C EMITTER IR 3.0X1.0MM RA SMD
相关代理商/技术参数
AON7428 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7430 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A DFN3X3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7430L 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON7432 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin DFN EP T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
AON7436 功能描述:MOSFET N CH 20V 23A DFN3X3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7440 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2820pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:3,000
AON7442 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2994pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):83W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 封装/外壳:8-PowerWDFN 标准包装:3,000
AON7444 功能描述:MOSFET N-CH 60V 33A 3X3DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件